Toshiba are memorie flash cu 16 straturi

[Costin]

Micsorarea procesului tehnologic a devenit din ce in ce mai dificila. Acest fapt s-a observat cel mai clar la Intel si TSMC, dar toti producatorii de chip-uri au suferit mai mult sau mai putin. Toshiba realizeaza memorie flash pe 15 nm de ceva timp. Si cum in jos era cam greu sa mearga, a ramas sa se duca in sus.

 

Adica, pentru ca vorbim despre un proces tehnologic tridimensional, sa creasca numarul de straturi. De la 8 cate erau pana acum, la 16. Interconectate bineinteles TSV (Through Silicon Via). Aceste chip-uri sunt capabile de viteze de transfer de peste 1 Gb/sec, au nevoie de voltaje de 1.8 V pentru componentele principale si 1.2 V pentru cele de legatura, consumand astfel cu 50% mai putin curent electric.

 

Si gratie dublarii numarului de straturi, se dubleaza si capacitatea unui chip, ajungand la 256 GB. Ceea ce ar permite SSD-uri de 3.5″ de 16 TB.